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类似上述的工业应用通常使用DC1000V或更低的功率，其功率器件大多为1200V或1700V产品。然而，Toshiba预计未来几年DC1500V将得到广泛应用，并已推出业内首款2200V产品。
MG250YD2YMS3导通损耗低，漏极-源极导通电压（感应端）低至0.7V（典型值）[2]。它还具有较低的导通和关断开关损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，与典型的硅(Si) IGBT相比降低了约90%[4]。这些特性有助于提高设备效率。低开关损耗还可以将传统的三电平电路替换为模块数量更少的两电平电路，从而促进设备的小型化。
Toshiba将继续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。
注释：
[1] 双碳化硅MOSFET模块。Toshiba调查，截至2023年8月。
[2] 测试条件：ID=250A，VGS=+20V，Tch=25°C
[3] 测试条件：VDD=1100V，ID=250A，Tch=150°C
[4] 截至2023年8月，Toshiba对2300V硅模块和新型全碳化硅MOSFET模块MG250YD2YMS3的开关损耗进行的比较（2300V硅模块的性能值是Toshiba根据2023年3月或之前发表的论文估算的。）
应用
工业设备
- 可再生能源发电系统（光伏发电系统等）
- 储能系统
- 工业设备的电机控制设备
- 高频直流-直流转换器等
特性
| 主要规格 | ||||
| （除非另有说明，否则Tc=25°C） | ||||
| 型号 | MG250YD2YMS3 | |||
| Toshiba封装名称 | 2-153A1A | |||
| 绝对 最大 额定值 | 漏源电压VDSS (V) | 2200 | ||
| 栅极-源极电压VGSS (V) | +25 / -10 | |||
| 漏极电流（直流）ID (A) | 250 | |||
| 漏极电流（脉冲）IDP (A) | 500 | |||
| 通道温度Tch (°C) | 150 | |||
| 隔离电压Visol (Vrms) | 4000 | |||
| 电气 特性 | 漏极-源极导通电压（感应端） VDS(on)sense (V) | ID=250A, VGS=+20V, Tch＝25°C | 典型值 | 0.7 |
| 源极-漏极导通电压（感应端） VSD(on)sense (V) | IS=250A, VGS=+20V, Tch＝25°C | 典型值 | 0.7 | |
| 源漏关断电压（感应端） VSD(off)sense (V) | IS＝250A, VGS=-6V, Tch＝25°C | 典型值 | 1.6 | |
| 导通开关损耗 Eon (mJ) | VDD=1100V, ID=250A, Tch＝150°C | 典型值 | 14 | |
| 关断开关损耗 Eoff (mJ) | 典型值 | 11 | ||
| 杂散电感LsPN (nH) | 典型值 | 12 | ||
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MG250YD2YMS3
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商，依托半个多世纪的经验与创新优势，为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
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Toshiba：业界首款2200V双碳化硅(SiC) MOSFET模块MG250YD2YMS3。（图示：美国商业资讯）
