东京--(美国商业资讯)-- NAND闪存的发明者Kioxia Corporation荣获2024年“FMS未来内存和存储终身成就奖”。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido和Hiroyasu Tanaka组成的Kioxia工程团队将领取这一殊荣，以表彰其在3D闪存开发和商业化方面的开创性工作。这项突破性技术已成为一系列计算应用的基础，包括先进智能手机、个人电脑、固态硬盘、数据中心、人工智能和工业。
Kioxia在2007年的VLSI研讨会上提出了BiCS FLASHTM 3D闪存技术的概念。在公布原型后，Kioxia继续通过开发优化该技术，以实现量产，最终于2015年推出了全球首款256千兆比特(Gb)、48层3D闪存。
FMS总主席Chuck Sobey表示：“Kioxia在3D闪存领域的创新彻底改变了数据存储，将其从现有技术的单纯进步转变为满足现代计算需求的开创性解决方案。我们很高兴能展示这一重要贡献，并期待着看到未来的发展。”
BiCS FLASH 3D闪存采用3D堆叠结构，可提高容量和性能，一直是存储行业的变革力量。该技术实现了更高密度的存储解决方案，同时保持了可靠性和效率，极大地增强了数据中心、消费电子产品和移动设备的功能，并为闪存技术设立了新标准。通过利用垂直堆叠技术，Kioxia的BiCS FLASH技术解决了平面NAND闪存的局限性，为内存存储解决方案的未来发展铺平了道路，并巩固了Kioxia Corporation作为行业领导者的地位。
Kioxia Corporation内存部门副总裁兼技术主管Atsushi Inoue表示：“Kioxia在3D闪存领域的技术创新怎么强调都不为过。我们的技术开创了行业的新范式，使闪存大大提高了每个单元、裸片和封装的存储密度。我很高兴看到我们的成就得到认可，并期待见证它们在未来几年的持续影响力。”
Kioxia Corporation先进存储器开发中心高级研究员Ryota Katsumata表示：“我的Kioxia工程师同事们不仅在技术上取得了巨大成就，而且致力于通过不断创新和支持周围的技术人员来推动相关领域的发展，从而树立了榜样。我们的贡献不仅产生了巨大的影响，还在社区内培养了创新和协作精神。很高兴看到这种领导力和远见得到认可。”
这项3D闪存技术还获得了2020年日本国家发明表彰会颁发的帝国发明奖，并获得了2023年日本文部科学省科学技术表彰会颁发的科学技术奖和2021年IEEE Andrew S. Grove奖。
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关于Kioxia
Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月从Toshiba Corporation（1987年发明了NAND闪存）剥离出来。Kioxia致力于凭借存储器技术促进世界发展，该公司提供各种产品、服务和系统，为客户提供多样化选择，并基于存储器技术创造价值，推动社会的发展。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心）的未来。
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