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近年来,随着车辆向电动汽车过渡,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装,支持大电流,具备低导通电阻和高散热性能。产品未采用内部接线柱[1]结构,通过引入一个铜夹片将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构,与现有的TO-220SM(W)封装相比,封装电阻下降大约30%,从而将XPQR3004PB的漏极额定电流(DC)提高到400A,是当前产品的1.6倍[2]。厚铜框的应用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%[2]。这些特性有利于支持更大的电流,并降低车载设备的损耗。
凭借新型封装技术,新产品可简化散热设计,减少半导体继电器和一体化起动发电机的变频器等需要大电流的应用所需的MOSFET数量,进而有助于缩小设备尺寸。当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时,东芝支持这两款新品分组出货[3],即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计方案采用同一组别的产品,从而减少特性偏差。
因为车载设备可能工作在各种温度环境下,所以表面贴装的焊点可靠性是一个需要考虑的关键因素。新品采用鸥翼式引脚来降低贴装应力,提高了焊点可靠性。
注:
[1] 锡焊连接
[2] 当前产品:采用TO-220SM(W) 封装的“TKR74F04PB”
[3] 东芝提供分组出货,每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。
应用
特性
主要规格
(Ta=25°C,除非另有说明) | |||||||||||
器件型号 | 极性 | 绝对最大额定值 | 漏极-源极 导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) | 沟道到外壳热阻 Zth(ch-c) 最大值 @Tc=25°C (℃/W) | 封装 | 系列 | 样品查询 和库存 | ||||
漏极-源极电压 VDSS (V) | 漏极电流 (DC) ID (A) | 漏极电流
(脉冲) IDP (A) | 通道温度 Tch (°C) |
VGS=6V |
VGS=10V | ||||||
XPQR3004PB | N-沟道 | 40 | 400 | 1200 | 175 | 0.47 | 0.30 | 0.2 | L-TOGLTM | U-MOSIX-H | 在线购买 |
XPQ1R004PB | N-沟道 | 40 | 200 | 600 | 175 | 1.8 | 1.0 | 0.65 | L-TOGLTM | U-MOSIX-H | 在线购买 |
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东芝:采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET支持车载设备对更大电流的需求。(图示:美国商业资讯)