新器件是業界首款標準型頂部冷卻TOLT GaN電晶體，再度擴充該公司豐富的封裝方案組合
加州戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是強大的GaN功率半導體(下一代電力系統的未來)領域的全球翹楚，該公司今天推出SuperGaN® TOLT FET。TP65H070G4RS電晶體導通電阻為72毫歐姆(milliohm)，是業界首款採用JEDEC標準(MO-332) TOLT封裝的頂部冷卻表面貼裝GaN器件。對於系統要求不允許採用更傳統的表面貼裝器件與底部冷卻的情形，TOLT封裝可為客戶提供靈活的熱管理。TOLT的熱性能與廣泛使用的熱堅固的TO-247通孔封裝相似，並具有以SMD為基礎的印刷電路板組裝(PCBA)的高效製程這一額外優勢。
TP65H070G4RS運用Transphorm穩健、高性能的650伏特常關型d模式GaN平台，透過降低柵極電荷、輸出功率電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動態電阻，改善了矽、碳化矽和其他GaN產品的效率。SuperGaN平台的優勢與TOLT更好的散熱和系統組裝靈活性相結合，為尋求以更低的整體電力系統成本將具有更高功率密度和效率的電力系統推向市場的客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。
Transphorm與多個全球合作夥伴合作開發高功率GaN，包括伺服器和儲存電源的主要客戶、能源/微型逆變器領域的全球領導者、離網電源解決方案的創新製造商，以及衛星通訊的領導者。
Transphorm業務開發和行銷資深副總裁Philip Zuk表示：「諸如TOLL和TOLT之類的表面貼裝器件具有各種優點，例如內部電感較低以及在製造過程中的電路板安裝更簡單。使用頂部冷卻，TOLT以類似通孔的熱性能強化了更靈活的整體熱管理。這些器件通常用於關鍵市場領域的中高功率系統應用，包括高效能運算(伺服器、電信、人工智慧電源)、再生能源和工業以及電動車，GaN技術已經為其中一些提供了推動力。我們非常高興能夠讓我們的客戶利用TOLT SuperGaN解決方案實現額外的系統級優勢。」
今天的產品發布之前，Transphorm新近推出了三款新型TOLL FET。TOLT的面世再次擴大了公司的產品範圍。它的可用性突顯了Transphorm的承諾，使最廣泛功率範圍內的各種封裝都能運用SuperGaN平台來支援客戶的偏好。
器件規格
SuperGaN器件以無與倫比的性能引領市場：可靠性< 0.05 FIT 閘門安全裕度± 20 V 抗噪性4 V 電阻溫度係數(TCR)比e模式常關型GaN低20% 驅動靈活性與標準的現成矽驅動器
強悍的650 V SuperGaN TOLT器件通過JEDEC認證。由於常關型d模式平台將GaN HEMT與整合低壓矽MOSFET搭配，因此SuperGaN FET易於使用常用的現成柵極驅動器驅動。它們可用於各種硬開關和軟開關AC-to-DC、DC-to-DC、DC-to-AC拓撲，以提高功率密度，同時縮小系統尺寸、減少重量和整體成本。
零件
尺寸(mm)
RDS(on) (mΩ)典型值
RDS(on) (mΩ)最大值
Vth (V)典型值
Id (25°C) (A)最大值
TP65H070G4RS
10 x 15
72
85
4
29
供貨和支援資源
TP65H070G4RS SuperGaN TOLT器件目前可提供樣品。如欲收到產品，請在https://www.transphormusa.com/en/products/提出申請。
獲取TP65H070G4RS資料表：https://www.transphormusa.com/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是GaN革命的全球領導企業。該公司設計和製造用於高壓功率轉換應用的高性能、高可靠性GaN半導體。Transphorm擁有最大的Power GaN IP組合之一，擁有1000多項公司擁有或獲得授權的專利。該公司生產了業界首個符合JEDEC和AEC-Q101要求的高壓GaN半導體器件。該公司的垂直整合器件商業模式允許在每個開發階段進行創新：設計、製造、器件和應用支援等。Transphorm的創新使電力電子產品超越了矽的限制，達到了超過99%的效率、50%以上的功率密度，並降低了20%的系統成本。Transphorm總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津若松市設有製造業務。如欲了解更多資訊，請瀏覽www.transphormusa.com。請在Twitter @transphormasa和微信@Transphorm_GaN關注我們。
SuperGaN標誌是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。
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