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Shin-Etsu Chemical进一步推进QST基板业务,促进在GaN功率器件中的应用

发布时间:2023-09-06
旨在为解决社会问题做出贡献

东京--(美国商业资讯)-- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.(总部:东京;社长:Yasuhiko Saitoh)已确定QST® (Qromis Substrate Technology)基板*1是实现高性能、高能效GaN(氮化镓)功率器件的社会化应用的必备材料,该公司将推动这些产品的开发和上市。

由于QST®基板的设计具有与GaN相同的热膨胀系数(CTE),因此可以抑制GaN外延层的翘曲和裂纹,从而实现大直径、高质量的厚GaN外延生长。利用这些特性,该产品有望应用于近年来快速增长的功率器件和射频器件(5G及超5G),以及MicroLED显示器的MicroLED增长等领域。

除了销售QST®基板外,Shin-Etsu Chemical还将根据客户要求销售GaN生长QST®基板。我们目前拥有6英寸和8英寸直径的基板产品系列,并且正在开发12英寸直径基板。自2021年以来,针对功率器件、射频器件和LED的各种应用,我们正与日本和全球众多客户合作进行样品评估和器件开发。特别是对于功率器件,正在对宽电压范围(650V至1800V)的器件进行持续评估。

迄今为止,Shin-Etsu Chemical对其QST®基板已多次进行了多项改进。其中一个例子是显著改进了源自键合工艺的缺陷问题,从而实现了高质量QST®基板的供应。此外,针对众多客户要求的更厚的GaN薄膜,我们还推动了提供具有优化缓冲层的模板基板,使客户能够实现厚度超过10μm的薄膜的稳定外延生长。另外,我们还取得了各种成功的结果并进行了报告,包括使用QST®基板实现超过20μm的厚膜GaN生长,以及在功率器件中实现了1800V的击穿电压*2

此外,Shin-Etsu Chemical和Oki Electric Industry Co., Ltd.还共同成功开发了一项技术,可从QST®基板上剥离GaN,并使用晶膜键合(CFB)*3技术将其键合到不同材料制成的基板上。到目前为止,大多数GaN功率器件都是横向器件,但CFB技术利用QST®基板的特性,通过从绝缘QST®基板剥离一层厚厚的高质量氮化镓,实现了可控制大电流的垂直功率器件。对于制造GaN器件的客户,Shin-Etsu Chemical将提供QST®基板或GaN生长QST®基板,Oki Electric Industry将通过合作或授权许可的方式提供其CFB技术。这两家公司希望通过这种方式,为促进垂直功率器件的发展做出贡献。

基于这些发展成果,并根据客户提出的业务情况咨询,Shin-Etsu Chemical将继续增加产量,以满足客户需求。

Shin-Etsu Chemical将进一步推动具有未来社会必不可少的特征的GaN器件实现社会化应用,为实现高效利用能源的可持续发展社会做出贡献。

Shin-Etsu Chemical将在SEMICON Taiwan展会上展示该产品的开发进展,该展会将于2023年9月6日至8日在中国台湾举行。

*1:QST®基板由Qromis, Inc.(总部:加利福尼亚州圣克拉拉;首席执行官:Cem Basceri)开发的复合材料基板,专用于GaN生长,并于2019年授权给Shin-Etsu Chemical。QST®是Qromis, Inc.在美国持有的注册商标(注册号为5277631)。

*2:请参阅下面的imec新闻稿(2021年4月)。
https://www.imec-int.com/en/press/imec-and-aixtron-demonstrate-200-mm-gan-epitaxy-aix-g5-c-1200v-applications-breakdown-excess

*3:CFB技术是一种从基板上剥离GaN外延层的技术,是Oki Electric Industry的注册商标。

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